Band Bending and Surface Composition Analysis by p-ARXPS and Their Impact on Minority Carrier Lifetime After Germanium Wet Etching
A. Chapotot
(1, 2)
,
J. Chretien
(3)
,
O. Fesiienko
(4)
,
E. Pargon
(4)
,
B. Ilahi
(5)
,
J. Cho
(6)
,
G. Courtois
,
K. Dessein
,
A. Boucherif
(1, 2)
,
G. Hamon
(7, 8)
,
M. Darnon
1
LN2 -
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke]
2 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
3 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
4 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
5 Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures [Monastir]
6 Department of Genetics [Boston]
7 LPICM - Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces
8 [Total Energies. Anciennement : Total, TotalFina, TotalFinaElf] - TotalEnergies
2 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
3 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
4 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
5 Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures [Monastir]
6 Department of Genetics [Boston]
7 LPICM - Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces
8 [Total Energies. Anciennement : Total, TotalFina, TotalFinaElf] - TotalEnergies