Poster De Conférence Année : 2024

Towards an understanding of vanadium doping effects in 4H-SiC

Résumé

A number of factors have been identified that influence the intensity of photoluminescence in a 4H-SiC:V sample. A photoluminescence temperature study shows trapping behaviour. An unexpected dependence of epitaxial growth rate on VCl 4 presence has been demonstrated.

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hal-04829444 , version 1 (10-12-2024)

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  • HAL Id : hal-04829444 , version 1

Citer

Harmke van Dijk, Matthieu Paillet, Océane Février, Sandrine Juillaguet, S. Contreras, et al.. Towards an understanding of vanadium doping effects in 4H-SiC. Les Journées Nano, Micro et Optoélectronique (JNMO), Oct 2024, Sète, France. ⟨hal-04829444⟩
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