Communication Dans Un Congrès Année : 2024

La gravure plasma, une étape critique dans la technologie SiC. Mécanismes physico-chimiques et applications

Résumé

Le SiC est un des semi-conducteurs à large bande interdite présentant une certaine maturité technologique. Des composants de puissance sont aujourd’hui commercialisé en SiC. Grâce à l'amélioration de la qualité des substrats disponibles aujourd’hui en SiC d'autres applications sont envisageables, notamment en nanophotonique et technologie quantique. La gravure plasma est une étape clé dans la fabrication et la définition de l'architecture des composants SiC, la forte liaison inter-atomique ne permettant pas d'envisager des gravures classiques par voie humides. Les nouvelles applications ou architectures de composants envisagés aujourd’hui demandent d’utiliser cette technique au-delà des procédés développés pour les composants de puissance commercialisés. A titre d’exemple on peut mentionner, des via très profondes qui sont nécessaires pour la reprise de contacts ou la gravure latérales pour isoler des structures photoniques.

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Dates et versions

hal-04799422 , version 1 (09-01-2025)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04799422 , version 1

Citer

Mihai Lazar, Nour Beydoun, Frédéric Marty, Elise Usureau, Enora Vuillermet, et al.. La gravure plasma, une étape critique dans la technologie SiC. Mécanismes physico-chimiques et applications. Journées Renatech Litho/Gravure 2024, Jun 2024, Valbonne, France. ⟨hal-04799422⟩
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