Short-term reliability assessment of sub-micron thick AlN/GaN-on-Silicon HEMTs grown by MBE for RF applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Short-term reliability assessment of sub-micron thick AlN/GaN-on-Silicon HEMTs grown by MBE for RF applications

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04761106

Soumis le : mercredi 30 octobre 2024-22:17:37

Dernière modification le : vendredi 22 novembre 2024-12:37:51

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Dates et versions

hal-04761106 , version 1 (30-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04761106 , version 1

Citer

Elodie Carneiro, L. Ben Hammou, S. Rennesson, Etienne Okada, Fabrice Semond, et al.. Short-term reliability assessment of sub-micron thick AlN/GaN-on-Silicon HEMTs grown by MBE for RF applications. Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2024, Lund, Sweden. ⟨hal-04761106⟩

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