Communication Dans Un Congrès
Année : 2019
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https://hal.science/hal-04743574
Soumis le : vendredi 18 octobre 2024-13:30:03
Dernière modification le : vendredi 30 janvier 2026-10:00:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04743574 , version 1
Citer
Giorgos Gakis, Hugues Vergnes, Fuccio Cristiano, Constantin Vahlas, Brigitte Caussat, et al.. Reduction of the growth inhibition and substrate oxidation during the first steps of alumina ALD on Si by an in situ N2-NH3 plasma surface pre-treatment. RafALD, GDR RafALD, Nov 2019, Toulouse, France. ⟨hal-04743574⟩
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