GOTEN: Repousser les limites de l'électronique de puissance. L'oxyde de gallium, le semi-conducteur de puissance de prochaine génération - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2024

GOTEN: Repousser les limites de l'électronique de puissance. L'oxyde de gallium, le semi-conducteur de puissance de prochaine génération

Ekaterine Chikoidze
Groupe d'Etude de la Matière Condensée
Eva Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs

Résumé

GOTEN Repousser les limites de l'électronique de puissance : L'oxyde de gallium, le semi-conducteur de puissance de prochaine génération. DÉFI Démontrer la viabilité d’une filière technologique française de composants verticaux à base d’oxyde de gallium (Ga2O3), couvrant l’ensemble de la chaine de valeurs allant de la croissance épitaxiale jusqu’à la gestion thermique des composants dans leur boîtier.

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]
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Elisabeth Galopin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04665581

Soumis le : lundi 19 août 2024-11:09:08

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:14:08

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Dates et versions

hal-04665581 , version 1 (19-08-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04665581 , version 1

Citer

Ekaterine Chikoidze, Eva Monroy. GOTEN: Repousser les limites de l'électronique de puissance. L'oxyde de gallium, le semi-conducteur de puissance de prochaine génération. Journée PEPR Electronique - kick off projets AAP 2023, Jul 2024, Paris, France. ⟨hal-04665581⟩

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