CMOS-compatible Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric memory crosspoints fabricated with damascene process - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2024

CMOS-compatible Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric memory crosspoints fabricated with damascene process

Nicolas Gariépy
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04647214 , version 1 (13-07-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04647214 , version 1

Citer

Dorian Coffineau, Nicolas Gariépy, Benoît Manchon, Raphaël Dawant, Abdelatif Jaouad, et al.. CMOS-compatible Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric memory crosspoints fabricated with damascene process. Nanotechnology, In press. ⟨hal-04647214⟩
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