Effect of thin-film VO2 as a hole blocking layer for improving photoelectrochemical performance of Mo-BiVO4 photoanode - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Effect of thin-film VO2 as a hole blocking layer for improving photoelectrochemical performance of Mo-BiVO4 photoanode

Domaines

Matériaux

Stéphanie Roualdes  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04604960

Soumis le : vendredi 7 juin 2024-14:31:09

Dernière modification le : jeudi 7 novembre 2024-16:14:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04604960 , version 1 (07-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04604960 , version 1

Citer

Asad Mirzaei, Raphael Costes, Z Shayegan, Ayman El-Hattab, Stéphanie Roualdès, et al.. Effect of thin-film VO2 as a hole blocking layer for improving photoelectrochemical performance of Mo-BiVO4 photoanode. 31st International Materials Research Congress (A9. Challenges Materials Technologies Energy Conversion, Saving Storage - MATECSS), Aug 2023, Cancun, Mexico. ⟨hal-04604960⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IEM INC-CNRS CHIMIE UNIV-MONTPELLIER
19 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More