New critical density in metal-insulator transition, obtained in n(p)- type degenerate, Si(1-x)Ge(x)- crystalline alloy, and its applications.(V) - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue World Journal of Engineering Research and Technologie (WJERT) Année : 2024

New critical density in metal-insulator transition, obtained in n(p)- type degenerate, Si(1-x)Ge(x)- crystalline alloy, and its applications.(V)

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Physique [physics]

Joelle Sulian  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04565780

Soumis le : jeudi 2 mai 2024-10:55:07

Dernière modification le : mercredi 4 décembre 2024-16:58:30

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hal-04565780 , version 1 (02-05-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04565780 , version 1

Citer

Van-Cong Huynh. New critical density in metal-insulator transition, obtained in n(p)- type degenerate, Si(1-x)Ge(x)- crystalline alloy, and its applications.(V). World Journal of Engineering Research and Technologie (WJERT), 2024, 10 (5), pp.80-106. ⟨hal-04565780⟩

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