Article Dans Une Revue
Materials Science in Semiconductor Processing
Année : 2023
Lorenzo Rigutti : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04542477
Soumis le : jeudi 11 avril 2024-14:44:19
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Citer
Samba Ndiaye, Sébastien Duguay, François Vurpillot, Chiara Carraro, Gianluigi Maggioni, et al.. Atom probe tomography of hyper-doped Ge layers synthesized by Sb in-diffusion by pulsed laser melting. Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 164 (11), pp.107641. ⟨10.1016/j.mssp.2023.107641⟩. ⟨hal-04542477⟩
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