Atom probe tomography of hyper-doped Ge layers synthesized by Sb in-diffusion by pulsed laser melting - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2023

Atom probe tomography of hyper-doped Ge layers synthesized by Sb in-diffusion by pulsed laser melting

Samba Ndiaye
  • Fonction : Auteur
Sébastien Duguay
  • Fonction : Auteur
François Vurpillot
  • Fonction : Auteur
Chiara Carraro
  • Fonction : Auteur
Gianluigi Maggioni
  • Fonction : Auteur
Enrico Di Russo
  • Fonction : Auteur
Davide de Salvador
  • Fonction : Auteur
Enrico Napolitani
  • Fonction : Auteur
Lorenzo Rigutti
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04542477 , version 1 (11-04-2024)

Identifiants

Citer

Samba Ndiaye, Sébastien Duguay, François Vurpillot, Chiara Carraro, Gianluigi Maggioni, et al.. Atom probe tomography of hyper-doped Ge layers synthesized by Sb in-diffusion by pulsed laser melting. Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 164 (11), pp.107641. ⟨10.1016/j.mssp.2023.107641⟩. ⟨hal-04542477⟩
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