Power Handling of GaN Schottky Diodes on Semi-Insulating Ammonothermal GaN Substrate at 94 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Power Handling of GaN Schottky Diodes on Semi-Insulating Ammonothermal GaN Substrate at 94 GHz

Résumé

In this paper, we report electrical results and handling power results of different Schottky diodes based on 620 nm of n- Gallium Nitride (GaN) fabricated on ammonothermal GaN substrate. The breakdown voltage obtained is 115 V/µm. Diodes held 29.6 dBm at zero bias and we detected an output voltage of 16.5 V at 94 GHz

Mots clés

Fichier principal
Vignette du fichier
Abstract-wocsdice 2023 - Abou Daher et al (1).pdf (257.8 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04517550 , version 1 (22-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04517550 , version 1

Citer

Mahmoud ABOU DAHER, Hugo Bouillaud, Pawel Prystawko, Michal Bockowski, Etienne Okada, et al.. Power Handling of GaN Schottky Diodes on Semi-Insulating Ammonothermal GaN Substrate at 94 GHz. WOCSDICE-EXMATEC, May 2023, Palerme (Italie), Italy. ⟨hal-04517550⟩
1 Consultations
2 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More