Development of Low Resistance Ohmic Contacts with Bilayer Ni/Al-doped ZnO Thin Films to p-type GaN - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04506664 , version 1 (15-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04506664 , version 1

Citer

Taoufik Slimani Tlemcani, Clément Mauduit, Matthew Charles, Romain Gwoziecki, Arnaud Yvon, et al.. Development of Low Resistance Ohmic Contacts with Bilayer Ni/Al-doped ZnO Thin Films to p-type GaN. The Electronic Materials Conference (EMC), Jun 2022, Ohio State University, United States. ⟨hal-04506664⟩
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