Comparative study of Ni/Au, Ni/AZO and Ni/ITO bilayer structures for Ohmic Contacts to p-GaN - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04506140 , version 1 (15-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04506140 , version 1

Citer

Taoufik Slimani Tlemcani, Clément Mauduit, Micka Bah, Meiling Zhang, Geoffroy Rouvre, et al.. Comparative study of Ni/Au, Ni/AZO and Ni/ITO bilayer structures for Ohmic Contacts to p-GaN. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nov 2023, Fukuoka, Japan. ⟨hal-04506140⟩
10 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More