Article Dans Une Revue Microscopy, Microanalysis, Microstructures Année : 1994

Structure of Si(111) surfaces etched in 40% NH4F: Influence of the doping

Résumé

The morphology of precisely oriented n and p+ type Si(111) hydrogenated surfaces has been studied by UHV-STM and AFM at ambient after "chemical" etching in 40% NH4F. Whereas atomically flat surfaces are obtained with the n-type samples, the surface of p+ substrates is rough. It is shown that these observations stem from a variation of the partition between the chemical (anisotropic) and the electrochemical (isotropic) components of the etching reaction. This is the uptake of the latter reaction path at the p+ -type specimen which explains the surface roughening in this case.

La topographie de surface de plaquettes de Si(111) de type n et p +, orientées précisément, est étudiée par STM (dans le vide) et AFM (à l'air ambiant) après attaque "chimique" dans une solution de NH4F à 40 %. I1 apparait que le substrat de type n donne une surface plane à l'échelle atomique, et que la surface du substrat p+ est toujours rugueuse. On montre que ces observations résultent d'une augmentation de la composante électrochimique de la dissolution à la surface de type p+.

Dates et versions

hal-04470239 , version 1 (21-02-2024)

Identifiants

Citer

J.R. Roche, M. Ramonda, F. Thibaudau, Ph. Dumas, Ph. Mathiez, et al.. Structure of Si(111) surfaces etched in 40% NH4F: Influence of the doping. Microscopy, Microanalysis, Microstructures, 1994, 5 (4-6), pp.291-299. ⟨10.1051/mmm:0199400504-6029100⟩. ⟨hal-04470239⟩
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