Structure of Si(111) surfaces etched in 40% NH4F: Influence of the doping
Résumé
The morphology of precisely oriented n and p+ type Si(111) hydrogenated surfaces has been studied by UHV-STM and AFM at ambient after "chemical" etching in 40% NH4F. Whereas atomically flat surfaces are obtained with the n-type samples, the surface of p+ substrates is rough. It is shown that these observations stem from a variation of the partition between the chemical (anisotropic) and the electrochemical (isotropic) components of the etching reaction. This is the uptake of the latter reaction path at the p+ -type specimen which explains the surface roughening in this case.
La topographie de surface de plaquettes de Si(111) de type n et p +, orientées précisément, est étudiée par STM (dans le vide) et AFM (à l'air ambiant) après attaque "chimique" dans une solution de NH4F à 40 %. I1 apparait que le substrat de type n donne une surface plane à l'échelle atomique, et que la surface du substrat p+ est toujours rugueuse. On montre que ces observations résultent d'une augmentation de la composante électrochimique de la dissolution à la surface de type p+.