PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION InP/InGaAs A GUIDE D'ONDE - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1997

PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION InP/InGaAs A GUIDE D'ONDE

Résumé

Dans l'avenir sont susceptibles de voir se développer des systèmes utilisant la transmission de signaux hyperfréquences ou millimétriques par voie optique. Pour cela, il est nécessaire de disposer de photodétecteurs ultrarapides, et le phototransistor à éclairement par la tranche peut être l'un des composants répondant à cette demande. En particulier, la structure guide d'onde peut permettre, comme pour les PIN-guides, un fonctionnement en gamme millimétrique avec un rendement quantique élevé. Le phototransistor a en plus l'avantage de bénéficier d'un gain interne, sous faible tension, et a un bruit a priori plus faible que celui dû à un mécanisme d'avalanche. En outre, la fonction transistor peut permettre l'utilisation de ce composant pour la conception de circuits hyperfréquences (oscillateurs, amplificateurs) commandés optiquement. C'est pourquoi nous présentons dans cette communication l'étude et la réalisation technologique de phototransistors bipolaires à hétérojonction éclairés par la tranche.

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Licence : Copyright (Tous droits réservés)

Dates et versions

hal-04458097 , version 1 (15-02-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04458097 , version 1

Citer

Vincent Magnin, Jerome van de Casteele, Joseph Harari, Jean-Philippe Gouy, Jean-Pierre Vilcot, et al.. PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION InP/InGaAs A GUIDE D'ONDE. Journées Nationales Micro-Ondes (JNM'97), May 1997, Saint-malo, France. ⟨hal-04458097⟩
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