Area Selective Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Silicon using a Fluorinated Precursor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04425884 , version 1 (30-01-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04425884 , version 1

Citer

Ghewa Akiki, Mathieu Frégnaux, Ileana Florea, Sergej Filonovich, Pavel Bulkin, et al.. Area Selective Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Silicon using a Fluorinated Precursor. AVS 67, Oct 2021, Virtual (On-line), United States. ⟨hal-04425884⟩
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