Role of Fluorinated Precursor in Area Selective PECVD of Silicon on SiOxNy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04425827 , version 1 (30-01-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04425827 , version 1

Citer

Ghewa Akiki, Mathieu Frégnaux, Ileana Florea, Pavel Bulkin, Dmitri Daineka, et al.. Role of Fluorinated Precursor in Area Selective PECVD of Silicon on SiOxNy. 5th Area Selective Deposition Workshop (ASD 2021), Apr 2021, Virtual conference, United States. ⟨hal-04425827⟩
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