Etude XPS de surface et d’interface de films ultra-minces d’InAlN oxydés à haute température pour le développement des transistors de puissance. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Etude XPS de surface et d’interface de films ultra-minces d’InAlN oxydés à haute température pour le développement des transistors de puissance.

Domaines

Chimie
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04403800 , version 1 (18-01-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04403800 , version 1

Citer

Yoan Bourlier, Muriel Bouttemy, Olivier Patard, Piero Gamara, Stéphane Piotrowicz, et al.. Etude XPS de surface et d’interface de films ultra-minces d’InAlN oxydés à haute température pour le développement des transistors de puissance.. ELSPEC, Jun 2018, Biarritz, France. ⟨hal-04403800⟩
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