Gallium-containing sulfide binary and ternary materials by atomic layer deposition for PV applications: precursor reactivities and growth fine chemistries - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04403669 , version 1 (18-01-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04403669 , version 1

Citer

Nathanaëlle Schneider, Charles Goehry, Mathieu Frégnaux, Muriel Bouttemy, Frédérique Donsanti, et al.. Gallium-containing sulfide binary and ternary materials by atomic layer deposition for PV applications: precursor reactivities and growth fine chemistries. EMRS_conf. invitée, Jun 2018, Strasbourg, France. ⟨hal-04403669⟩
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