Article Dans Une Revue
Journal of Alloys and Compounds
Année : 2023
Yongjun HE : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04398332
Soumis le : mardi 16 janvier 2024-16:31:23
Dernière modification le : mardi 30 avril 2024-11:42:16
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04398332 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jallcom.2022.168134
Citer
Guoshun Qin, Chengguan Zhang, Shaobin Zhang, Xue Chen, Yongjun He. Compatibility effect on stress-free two-way memory of Ni-Mn-Ga single crystal. Journal of Alloys and Compounds, 2023, 935, pp.168134. ⟨10.1016/j.jallcom.2022.168134⟩. ⟨hal-04398332⟩
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