Compatibility effect on stress-free two-way memory of Ni-Mn-Ga single crystal - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Alloys and Compounds Année : 2023

Compatibility effect on stress-free two-way memory of Ni-Mn-Ga single crystal

Guoshun Qin
  • Fonction : Auteur
Chengguan Zhang
  • Fonction : Auteur
Shaobin Zhang
  • Fonction : Auteur
Xue Chen
  • Fonction : Auteur
Yongjun He
  • Fonction : Auteur correspondant
  • PersonId : 6355
  • IdHAL : yongjun-he

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hal-04398332 , version 1 (16-01-2024)

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Guoshun Qin, Chengguan Zhang, Shaobin Zhang, Xue Chen, Yongjun He. Compatibility effect on stress-free two-way memory of Ni-Mn-Ga single crystal. Journal of Alloys and Compounds, 2023, 935, pp.168134. ⟨10.1016/j.jallcom.2022.168134⟩. ⟨hal-04398332⟩
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