Communication Dans Un Congrès
Année : 2021
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https://hal.science/hal-04396265
Soumis le : lundi 15 janvier 2024-21:39:39
Dernière modification le : mercredi 3 décembre 2025-14:48:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04396265 , version 1
Citer
M.A. Pinault-Thaury, Ken Axxel Castillo Arvizu, Riadh Issaoui, Fabien Bénédic, Jocelyn Achard. A route towards high quality p doped layers suitable for high power electronics: Improvement of dislocation density in single crystal CVD diamond. 31st International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2021), Sep 2021, On Line, France. ⟨hal-04396265⟩
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