Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
Daniela Munteanu : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04393620
Soumis le : dimanche 14 janvier 2024-22:15:02
Dernière modification le : lundi 15 janvier 2024-03:16:32
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04393620 , version 1
Citer
Daniela Munteanu, Mathieu Moreau, Jean-Luc Autran. Effects of gate stack parasitic charge on current-voltage characteristics of high-k/SiO2/Ge-channel Double-Gate MOSFETs. 8th Symposium SiO2, Advanced Dielectrics and Related Devices (2010), Jun 2010, Varenna, Italy. ⟨hal-04393620⟩
2
Consultations
0
Téléchargements