Communication Dans Un Congrès
Année : 2019
Anne-Marie GONCALVES : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04391189
Soumis le : vendredi 12 janvier 2024-15:47:18
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04391189 , version 1
Citer
C. Rakotoarimanana P., M. Frégnaux, N. Simon, A. Etcheberry. Band Alignment of N- and P- Doped InP at Electrolyte and Ultra High Vacuum Junctions: Fundamental Correlation between the Open Circuit Potential Under Illumination and XPS Photopeak Energy. 235th ECS Meeting, Dallas (26/05-31/05 2019), 235th ECS Meeting, Dallas (26/05-31/05 2019), May 2019, Dallas (USA), United States. ⟨hal-04391189⟩
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