Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2023
Bogdan Cretu : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04335903
Soumis le : lundi 11 décembre 2023-15:31:36
Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04
Citer
A. Tahiat, B. Cretu, A. Veloso, E. Simoen. Is there a limit when the access resistance impact on the extraction of key GAA NS FETs devices parameters can (not) be avoided?. Solid-State Electronics, 2023, 209, pp.108711. ⟨10.1016/j.sse.2023.108711⟩. ⟨hal-04335903⟩
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