Is there a limit when the access resistance impact on the extraction of key GAA NS FETs devices parameters can (not) be avoided? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2023

Is there a limit when the access resistance impact on the extraction of key GAA NS FETs devices parameters can (not) be avoided?

B. Cretu
A. Veloso
  • Fonction : Auteur
E. Simoen
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04335903 , version 1 (11-12-2023)

Identifiants

Citer

A. Tahiat, B. Cretu, A. Veloso, E. Simoen. Is there a limit when the access resistance impact on the extraction of key GAA NS FETs devices parameters can (not) be avoided?. Solid-State Electronics, 2023, 209, pp.108711. ⟨10.1016/j.sse.2023.108711⟩. ⟨hal-04335903⟩
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