1.65 μm L/S high density interconnect on organic substrate by advanced semi-additive process for HPC applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

1.65 μm L/S high density interconnect on organic substrate by advanced semi-additive process for HPC applications

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

UMI3463 LN2  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04301214

Soumis le : mercredi 22 novembre 2023-21:34:02

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:51:40

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04301214 , version 1 (22-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04301214 , version 1

Citer

H Hamieh, E Paradis, Y Beilliard, S Ecoffey, I de Sousa, et al.. 1.65 μm L/S high density interconnect on organic substrate by advanced semi-additive process for HPC applications. IEEE 73rd Electronic Components and Technology Conference, 2023, Orlando (FL), United States. ⟨hal-04301214⟩

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