Commande électronique avancée d'un transistor de puissance au carbure de silicium - Protection extrême et surveillance de l'état de santé de l'oxyde de grille - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue La Revue de l'électricité et de l'électronique Année : 2023

Commande électronique avancée d'un transistor de puissance au carbure de silicium - Protection extrême et surveillance de l'état de santé de l'oxyde de grille

Frédéric Richardeau
Jean-Marc Blaquière
Sébastien Vinnac
Thanh Long Le
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1270414
Stéphane Azzopardi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1080308

Résumé

En peu de temps, le transistor de puissance SiC a surpassé le Si dans les applications exigeant efficacité énergétique et haute fréquence de découpage. Cet article présente une architecture de commande électronique novatrice pour assurer la sécurité et surveiller la santé du transistor. Elle repose sur des résistances de grille commutées en parallèle, permettant une commutation rapide et une détection efficace des défauts. Cette approche tire profit des variations de charge électrique de la grille en cas de défaut, en isolant partiellement la grille pour une détection plus sensible des défauts. Elle est validée avec succès sur des MOSFETs SiC de calibre 1200V-36A.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04301091 , version 1 (22-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04301091 , version 1

Citer

Mathis Picot-Digoix, Frédéric Richardeau, Jean-Marc Blaquière, Sébastien Vinnac, Thanh Long Le, et al.. Commande électronique avancée d'un transistor de puissance au carbure de silicium - Protection extrême et surveillance de l'état de santé de l'oxyde de grille. La Revue de l'électricité et de l'électronique, 2023, Vol. 4. ⟨hal-04301091⟩
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