GaN HEMT power amplifier design for 2.45 GHz wireless applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue SAIEE Africa Research Journal Année : 2023

Dates et versions

hal-04294272 , version 1 (19-11-2023)

Identifiants

Citer

Paula Akossiwa Atchike, Jamal Zbitou, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt. GaN HEMT power amplifier design for 2.45 GHz wireless applications. SAIEE Africa Research Journal, 2023, 114 (4), pp.106-113. ⟨10.23919/SAIEE.2023.10319379⟩. ⟨hal-04294272⟩
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