High density MOS transistor using source/ drain Schottky contacts - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04249505 , version 1 (19-10-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04249505 , version 1

Citer

Emmanuel Dubois. High density MOS transistor using source/ drain Schottky contacts. France, Patent n° : US6774451. 2004. ⟨hal-04249505⟩
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