Surface Reactivity of the Au‐Si‐Ho Quasicrystalline 1/1 Approximant - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Israel Journal of Chemistry Année : 2023

Surface Reactivity of the Au‐Si‐Ho Quasicrystalline 1/1 Approximant

V. Fournee
Julian Ledieu
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Résumé

The oxidation of the (100) surface of Au‐Si‐Ho quasicrystalline approximant was studied using low‐energy electron diffraction and X‐ray photoelectron spectroscopy. The combination of these two techniques provides evidence for a Ho and Si surface segregation induced by O 2 adsorption, resulting in the loss of surface long‐range order.
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Dates et versions

hal-04244275 , version 1 (16-10-2023)

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Citer

Wilfried Bajoun Mbajoun, Yu‐chin Huang, Girma Hailu Gebresenbut, Cesar Pay Gómez, V. Fournee, et al.. Surface Reactivity of the Au‐Si‐Ho Quasicrystalline 1/1 Approximant. Israel Journal of Chemistry, In press, ⟨10.1002/ijch.202300118⟩. ⟨hal-04244275⟩
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