Characterization of unintentional doping in localized epitaxial GaN layers on Si wafers by scanning spreading resistance microscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2023

Characterization of unintentional doping in localized epitaxial GaN layers on Si wafers by scanning spreading resistance microscopy

Fichier principal
Vignette du fichier
TK_Characterization of unintentional doping by SSRM.pdf (1.26 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04241129 , version 1 (18-10-2023)

Identifiants

Citer

Thomas Kaltsounis, Helge Haas, Matthieu Lafossas, Simona Torrengo, Vishwajeet Maurya, et al.. Characterization of unintentional doping in localized epitaxial GaN layers on Si wafers by scanning spreading resistance microscopy. Microelectronic Engineering, 2023, 273, pp.111964. ⟨10.1016/j.mee.2023.111964⟩. ⟨hal-04241129⟩
30 Consultations
50 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More