Interface dipole and band bending in the hybrid p − n heterojunction Mo S 2 / GaN ( 0001 ) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2017

Interface dipole and band bending in the hybrid p − n heterojunction Mo S 2 / GaN ( 0001 )

Mathieu Silly
  • Fonction : Auteur
François Bertran
Patrick Le Fèvre
Julien Rault
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-04222746 , version 1 (29-09-2023)

Identifiants

Citer

Hugo Henck, Zeineb Ben Aziza, Olivia Zill, Debora Pierucci, Carl Naylor, et al.. Interface dipole and band bending in the hybrid p − n heterojunction Mo S 2 / GaN ( 0001 ). Physical Review B, 2017, 96 (11), pp.115312. ⟨10.1103/PhysRevB.96.115312⟩. ⟨hal-04222746⟩
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