Influence of the nucleation surface on the growth of epitaxial Al2O3 thermal CVD films deposited on cemented carbides - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials & Design Année : 2022

Influence of the nucleation surface on the growth of epitaxial Al2O3 thermal CVD films deposited on cemented carbides

Résumé

The nucleation of aand j-Al 2 O 3 can be controlled with specific nucleation treatments. a-Al 2 O 3 is the preferred alumina phase to be deposited without any nucleation treatment. a-Al 2 O 3 is grown epitaxially on rutile (TiO 2), with ð1 À 20Þ aÀAl 2 O 3 ==ð10 1 À Þ rutile , ð003Þ aÀAl 2 O 3 ==ð010Þ rutile and ½210 aÀAl 2 O 3 ==½101 rutile. j-Al 2 O 3 is grown epitaxially on Ti(C, N), with ð100Þ jÀAl 2 O 3 ==ð1 À 1 À 1Þ TiðC;NÞ ; ð0 1 À 3Þ jÀAl 2 O 3 ==ð2 À 20Þ TiðC;NÞ and ½031 jÀAl 2 O 3 ==½112 TiðC;NÞ .
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Mat&Des2022 Al2O3 CVD.pdf (3.55 Mo) Télécharger le fichier
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Dates et versions

hal-04218360 , version 1 (26-09-2023)

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Paternité

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Citer

Maoxiang Zhu, Sofiane Achache, Mélanie Emo, Alejandro Borroto Ramírez, Jean-François Pierson, et al.. Influence of the nucleation surface on the growth of epitaxial Al2O3 thermal CVD films deposited on cemented carbides. Materials & Design, 2022, 216, pp.110601. ⟨10.1016/j.matdes.2022.110601⟩. ⟨hal-04218360⟩
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