Influence of the nucleation surface on the growth of epitaxial Al2O3 thermal CVD films deposited on cemented carbides
Résumé
The nucleation of aand j-Al 2 O 3 can be controlled with specific nucleation treatments. a-Al 2 O 3 is the preferred alumina phase to be deposited without any nucleation treatment. a-Al 2 O 3 is grown epitaxially on rutile (TiO 2), with ð1 À 20Þ aÀAl 2 O 3 ==ð10 1 À Þ rutile , ð003Þ aÀAl 2 O 3 ==ð010Þ rutile and ½210 aÀAl 2 O 3 ==½101 rutile. j-Al 2 O 3 is grown epitaxially on Ti(C, N), with ð100Þ jÀAl 2 O 3 ==ð1 À 1 À 1Þ TiðC;NÞ ; ð0 1 À 3Þ jÀAl 2 O 3 ==ð2 À 20Þ TiðC;NÞ and ½031 jÀAl 2 O 3 ==½112 TiðC;NÞ .
Origine : Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte