Damage in InGaN/GaN bilayers upon Xe and Pb swift heavy ion irradiation
Przemysław Jóźwik
(1)
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José Cardoso
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Diogo Carvalho
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Maria Correia
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Miguel Sequeira
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Sérgio Magalhães
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Djibril Nd. Faye
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Clara Grygiel
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Isabelle Monnet
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Adam Bross
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Christian Wetzel
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Eduardo Alves
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Katharina Lorenz
(1)
Przemysław Jóźwik
- Fonction : Auteur
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José Cardoso
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Diogo Carvalho
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Maria Correia
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Miguel Sequeira
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Sérgio Magalhães
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Djibril Nd. Faye
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Clara Grygiel
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Isabelle Monnet
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Adam Bross
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Christian Wetzel
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Eduardo Alves
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Katharina Lorenz
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Résumé
350 nm and 550 nm thick InGaN/GaN bilayers were irradiated with different energies (from ∼82 to ∼38 MeV) of xenon ( 129 Xe) ions and different fluences of 1.2 GeV lead ( 208 Pb) ions, respectively.