ICP-CVD Silicon-rich silicon nitride for supercontinuum generation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

ICP-CVD Silicon-rich silicon nitride for supercontinuum generation

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04183500 , version 1 (19-08-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04183500 , version 1

Citer

Ayesha Jayantha, Aurore Andrieux, Isabelle Gallet, Christophe Finot, Kamal Hammani. ICP-CVD Silicon-rich silicon nitride for supercontinuum generation. CLEO Europe (Conference on Laser and ElectroOptic), Jun 2023, Muncih, Germany. ⟨hal-04183500⟩
23 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More