Comparison between dilute nitrides grown on {111} and (100) GaAs substrates: N incorporation and quantum well optical properties - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEE Proceedings Optoelectronics Année : 2003
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hal-04176553 , version 1 (03-08-2023)

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Citer

S. Blanc, A. Arnoult, H. Carrère, E. Bedel, G. Lacoste, et al.. Comparison between dilute nitrides grown on {111} and (100) GaAs substrates: N incorporation and quantum well optical properties. IEE Proceedings Optoelectronics, 2003, 150 (1), pp.64. ⟨10.1049/ip-opt:20030039⟩. ⟨hal-04176553⟩
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