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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Étude des propriétés uniques des MOSFET SiC en régime de court-circuit (CC) en vue de la sécurisation de cellule de commutation

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04157350 , version 1 (10-07-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04157350 , version 1

Citer

François Boige, Frédéric Richardeau, S. Lefebvre. Étude des propriétés uniques des MOSFET SiC en régime de court-circuit (CC) en vue de la sécurisation de cellule de commutation. École thématique 2018 GRANDS-GAPS, Matériaux Grands Gaps pour l'Électronique de Puissance : Enjeux, Intégration système et commande rapprochée, 18-22 juin 2018, Toulouse (FRANCE), 2018, Toulouse, France. ⟨hal-04157350⟩
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