Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Karine Pistre : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04157350
Soumis le : lundi 10 juillet 2023-11:33:11
Dernière modification le : lundi 18 décembre 2023-10:40:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04157350 , version 1
Citer
François Boige, Frédéric Richardeau, S. Lefebvre. Étude des propriétés uniques des MOSFET SiC en régime de court-circuit (CC) en vue de la sécurisation de cellule de commutation. École thématique 2018 GRANDS-GAPS, Matériaux Grands Gaps pour l'Électronique de Puissance : Enjeux, Intégration système et commande rapprochée, 18-22 juin 2018, Toulouse (FRANCE), 2018, Toulouse, France. ⟨hal-04157350⟩
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