Insulator–metal transition of VO 2 ultrathin films on silicon: evidence for an electronic origin by infrared spectroscopy - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Physics: Condensed Matter Année : 2013

Insulator–metal transition of VO 2 ultrathin films on silicon: evidence for an electronic origin by infrared spectroscopy

W Peng
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G Niu
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R Tétot
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B Vilquin
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F Raimondi
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J Brubach
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E Amzallag
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T Yanagida
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S Autier-Laurent
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P Lecoeur
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Citer

W Peng, G Niu, R Tétot, B Vilquin, F Raimondi, et al.. Insulator–metal transition of VO 2 ultrathin films on silicon: evidence for an electronic origin by infrared spectroscopy. Journal of Physics: Condensed Matter, 2013, 25 (44), pp.445402. ⟨10.1088/0953-8984/25/44/445402⟩. ⟨hal-04153124⟩

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