Molecular beam epitaxy of TaSe2 on GaP(111)B - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2023

Molecular beam epitaxy of TaSe2 on GaP(111)B

C. Sthioul
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
H. Koussir
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Y. Chernukha
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
N. Chapuis
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
E. Haber
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Pascal Roussel
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181
CV
Christophe Coinon
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Pascale Diener
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Physique - IEMN
B. Grandidier
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Physique - IEMN
CV
Xavier Wallart
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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https://hal.science/hal-04118157

Soumis le : vendredi 28 juillet 2023-13:52:12

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

Archivage à long terme le : dimanche 29 octobre 2023-18:18:24

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Dates et versions

hal-04118157 , version 1 (28-07-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04118157 , version 1

Citer

C. Sthioul, H. Koussir, Y. Chernukha, N. Chapuis, E. Haber, et al.. Molecular beam epitaxy of TaSe2 on GaP(111)B. Colloque du GDR/GDR-I HOWDI, May 2023, Porquerolles, France. . ⟨hal-04118157⟩

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