Threshold voltage shift of deep-depletion ZrO2/O-terminated diamond MOSFET: numerical simulations and comparison with measurements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04099953 , version 1 (17-05-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04099953 , version 1

Citer

Marine Couret, Beatriz Soto, Daniel Araujo, Maria del Pilar Villar, Julien Pernot, et al.. Threshold voltage shift of deep-depletion ZrO2/O-terminated diamond MOSFET: numerical simulations and comparison with measurements. Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hasselt, Belgium. ⟨hal-04099953⟩
15 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More