Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2023

Current transport in Ni Schottky barrier on GaN epilayer grown on free standing substrates

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hal-04092737 , version 1 (20-01-2025)

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Giuseppe Greco, Patrick Fiorenza, Emanuela Schilirò, Corrado Bongiorno, Salvatore Di Franco, et al.. Current transport in Ni Schottky barrier on GaN epilayer grown on free standing substrates. Microelectronic Engineering, 2023, 276, pp.112009. ⟨10.1016/j.mee.2023.112009⟩. ⟨hal-04092737⟩
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