Système de mesure de la tension Drain-Source à l'état passant: application aux modules SiC forte tension - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Système de mesure de la tension Drain-Source à l'état passant: application aux modules SiC forte tension

Résumé

Cet article traite de la mesure en fonctionnement des paramètres électriques sensibles à la dégradation des semiconducteurs de puissance menant à une approche de surveillance de l’état de santé du module de puissance. La résistance à l’état passant RDSON est un indicateur de vieillissement clé des MOSFETs en carbure de silicium. Elle peut fournir des informations sur la dégradation de la puce et du boîtier afin de rendre un convertisseur de puissance plus fiable. Cette résistance à l’état passant peut être déterminée en utilisant à la fois le courant à l’état passant et la tension du semi-conducteur de puissance. Cet article propose un circuit de mesure de tension à l’état passant pour les modules haute puissance (jusqu’à 3.3 kV, 500A). Le circuit proposé est validé lors d’un test double pulse pour différentes températures de semelle du module et comparé aux données obtenues avec un traceur de courbe Keysight B1505.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04058326 , version 1 (04-04-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04058326 , version 1

Citer

Antoine Laspeyres, Anne-Sophie Descamps, Christophe Batard, Nicolas Ginot. Système de mesure de la tension Drain-Source à l'état passant: application aux modules SiC forte tension. Symposium de Génie Electrique - SGE 2023, Jul 2023, Lille, France. pp.sciencesconf.org:sge2023:443123. ⟨hal-04058326⟩
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