Bias Dependence of Non-Fourier Heat Spreading in GaN HEMTs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2023

Bias Dependence of Non-Fourier Heat Spreading in GaN HEMTs

Yang Shen
Tsinghua University [Beijing]
Xue-Song Chen
University of Waterloo [Waterloo]
Yu-Chao Yuchao Hua
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Thermique et d’Energie de Nantes
Han-Ling Li
Tsinghua University [Beijing]
Lan Wei
University of Waterloo [Waterloo]
Bing-Yang Cao
Tsinghua University [Beijing]

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Energie électrique
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Yuchao Hua  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04047529

Soumis le : jeudi 28 mars 2024-14:35:57

Dernière modification le : jeudi 30 mai 2024-14:34:03

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hal-04047529 , version 1 (28-03-2024)

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Citer

Yang Shen, Xue-Song Chen, Yu-Chao Yuchao Hua, Han-Ling Li, Lan Wei, et al.. Bias Dependence of Non-Fourier Heat Spreading in GaN HEMTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70 (2), pp.409-417. ⟨10.1109/TED.2022.3227894⟩. ⟨hal-04047529⟩

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