[Invited] Low RF loss buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

[Invited] Low RF loss buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-04039430

Soumis le : mardi 21 mars 2023-14:51:55

Dernière modification le : lundi 25 mars 2024-16:02:45

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04039430 , version 1 (21-03-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04039430 , version 1

Citer

E. Frayssinet, L. Nguyen, Marie Lesecq, N. Defrance, R. Comyn, et al.. [Invited] Low RF loss buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors. 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2019), Jul 2019, Washington, Seattle, United States. ⟨hal-04039430⟩

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