Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2008
Henri Mariette : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04037787
Soumis le : lundi 20 mars 2023-15:33:27
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Citer
I. Robin, A. Ribeaud, S. Brochen, G. Feuillet, P. Ferret, et al.. Publisher's Note: “Low residual doping level in homoepitaxially grown ZnO layers” [Appl. Phys. Lett. 92, 141101 (2008)]. Applied Physics Letters, 2008, 92 (20), pp.209904. ⟨10.1063/1.2932096⟩. ⟨hal-04037787⟩
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