Possible evidence for high-pressure induced charge transfer in thallium rhenium oxide at room temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03997859 , version 1 (20-02-2023)

Identifiants

Citer

J. Ablett, Jean-Pascal Rueff, S. Shieh, C. Kao, S. Wang. Possible evidence for high-pressure induced charge transfer in thallium rhenium oxide at room temperature. Physical Review B, 2015, 92 (1), pp.014113. ⟨10.1103/PhysRevB.92.014113⟩. ⟨hal-03997859⟩
7 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More