Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Passivating and physico-chemical properties of silicon nitride deposited by atmospheric pressure plasma for photovoltaic application

Domaines

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03988380 , version 1 (14-02-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03988380 , version 1

Citer

P. Lecouvreur, J. Larrieu, Nicolas Naudé, Sébastien Quoizola, S. Pouliquen, et al.. Passivating and physico-chemical properties of silicon nitride deposited by atmospheric pressure plasma for photovoltaic application. EPVSEC: 23e Conférence européenne sur l'énergie photovoltaique, Valence, SPAIN, 2008, Valence, Spain. ⟨hal-03988380⟩
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