Passivating and physico-chemical properties of silicon nitride deposited by atmospheric pressure plasma for photovoltaic application - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Passivating and physico-chemical properties of silicon nitride deposited by atmospheric pressure plasma for photovoltaic application

P. Lecouvreur
  • Fonction : Auteur
Nicolas Naudé
S. Quoizola
  • Fonction : Auteur
C. Picard
  • Fonction : Auteur
Eric Bêche
Nicolas Gherardi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1248560
  • IdRef : 119074427
R. Monna
  • Fonction : Auteur
D. Jahan
  • Fonction : Auteur
A. Cuevas
  • Fonction : Auteur

Domaines

Plasmas
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03988380 , version 1 (14-02-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03988380 , version 1

Citer

P. Lecouvreur, J. Larrieu, Nicolas Naudé, S. Quoizola, S. Pouliquen, et al.. Passivating and physico-chemical properties of silicon nitride deposited by atmospheric pressure plasma for photovoltaic application. EPVSEC: 23e Conférence européenne sur l'énergie photovoltaique, Valence, SPAIN, 2008, Valence, Spain. ⟨hal-03988380⟩
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