High Temperature Dielectric Properties of SiO2 Films Deposited by TEOS PECVD - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03965783 , version 1 (31-01-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03965783 , version 1

Citer

Lumei Wei, Marie-Laure Locatelli, Sombel Diaham, C. D. Pham, G. Grosset, et al.. High Temperature Dielectric Properties of SiO2 Films Deposited by TEOS PECVD. 1st International Conference on Dielectrics (ICD 2016), July 3-7, 2016, Montpellier (FRANCE), 2016, Montpellier, France. pp.72-75. ⟨hal-03965783⟩
8 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More