Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017
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Dates et versions

hal-03937651 , version 1 (13-01-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03937651 , version 1

Citer

François Boige, Frédéric Richardeau, D. Trémouilles, S. Lefebvre, G. Guibaud. Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation. 28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE), 2017, Bordeaux, France. ⟨hal-03937651⟩
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