Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Nathalie Pagès : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03937651
Soumis le : vendredi 13 janvier 2023-12:29:33
Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03937651 , version 1
Citer
François Boige, Frédéric Richardeau, D. Trémouilles, S. Lefebvre, G. Guibaud. Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation. 28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE), 2017, Bordeaux, France. ⟨hal-03937651⟩
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