Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation

Domaines

Energie électrique

Nathalie Pagès  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03937651

Soumis le : vendredi 13 janvier 2023-12:29:33

Dernière modification le : mardi 10 septembre 2024-15:12:36

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03937651 , version 1 (13-01-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03937651 , version 1

Citer

François Boige, Frédéric Richardeau, D. Trémouilles, S. Lefebvre, G. Guibaud. Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation. 28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE), 2017, Bordeaux, France. ⟨hal-03937651⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-TLSE2 CNRS UNIV-CERGY ENS-CACHAN INSA-TOULOUSE CNAM LAAS SATIE IFSTTAR UT1-CAPITOLE UNIV-RENNES INSA-GROUPE LAPLACE LAPLACE_CS CY-TECH-SE ENS-PARIS-SACLAY GS-COMPUTER-SCIENCE TOULOUSE-INP UNIV-UT3 UT3-TOULOUSEINP HESAM
40 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More