Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Nathalie Pagès : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03937650
Soumis le : vendredi 13 janvier 2023-12:29:32
Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:21
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03937650 , version 1
Citer
François Boige, Frédéric Richardeau. Gate leakage-current analysis and modelling of planar and trench power SiC Mosfet devices in extreme short-circuit operation. 28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE), 2017, Bordeaux, France. ⟨hal-03937650⟩
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